氮化鎵功率器件 氮化鎵HEMT和碳化硅SBD構成的半橋模塊 2018-03-22 閱讀(353) T. Nomura等2007年報道了一種用兩個氮化鎵HEMT和兩個碳化硅SBD構成的半橋模塊。該模塊針對高溫(200℃)應用而開發,其封裝技術殊可借鑒。圖1是該半橋模塊的...