氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件應用技術前瞻,氮化鎵功率器件特性,氮化鎵功率器件國內外大廠動向相關文章。
氮化鎵功率器件應用技術前瞻,氮化鎵功率器件特性,氮化鎵功率器件國內外大廠動向相關文章。
1. 表面化學清洗 化學清洗是常用的半導體器件表面處理方法,有機試劑可以去除器件表面的油脂等有機物污漬,而酸、堿溶液則可以去除表面氧化層等無機...
半導體技術中,介質/半導體界面處理一般可以分為兩種情況。一種情況基于Si材料技術,由于Si表面很容易形成穩定的SiO2自然氧化層,SiO2介質也可以有效阻...
柵絕緣層工藝是GaN基MIS-HEMT器件研制的關鍵技術。由于制備工藝成熟、絕緣性能好、物理和化學性質穩定等優點,以Al2O3和HfO2為代表的氧化物介質是最常用...
T/R組件是構成有源相控陣雷達天線的基礎,它的體積、重量、性能、可靠性等指標直接影響整體性能?;诘壒β史糯笮酒腡/R組件在體積、性能、熱...
由于較大的禁帶寬度、光吸收系數及高熱穩定性等優越的材料特性,Ⅲ族氮化物半導體,如氮化鎵(GaN),非常適合制備高性能的紫外探測器。GaN基紫外探...
以凹槽柵增強型MISFET為例,一般來說,當前主流的AlGaN/GaN異質結MISFET的制備工藝流程如圖1所示。首先,對異質結晶圓進行清洗與隔離;其次,制備歐姆接觸...
無線通信系統中,為了解決頻譜利用率和信息的傳輸速率問題,信號普遍采用了高階的調制方式,如正交頻分復用(OFDM)等,這些高效率的調制方式普遍具...
有科研團隊在AIGaN/GaN HEMT上增加了一個二極管來制造低成本、高性能的常關型HEMT。 這種器件是GaN基HEMT的一種新形式。由于HEMT結合了高速開關和極高擊穿電...
以半導體材料作為基礎可制成各種各樣的器件,1990年代之前,以硅為代表的第一代半導體材料占據統治地位。但隨著信息時代的來臨,特別是對高壓、高溫...
1. 高質量鈍化層生長工藝 絕緣材料廣泛應用于不同材料之間的層間電隔離,高質量的絕緣膜制備是半導體工藝中很重要的工藝步驟。在AlGaN/GaN HEMT器件中,...