技術前瞻
氮化鎵器件技術前瞻,生產研發技術動態,氮化鎵廠家新器件。
氮化鎵器件技術前瞻,生產研發技術動態,氮化鎵廠家新器件。
為了研究AlGaN/GaN/AlGaN雙異質結樣品的功率特性,我們使用Maury公司的負載牽引(Load-pull)系統對器件進行功率特性測試。測試樣品為SiC襯底上雙異質結HEMTs器件...
GaN基HEMTs器件由于其優越的性能非常適合于應用在各種極端環境中,如高溫、高壓、高輻射等,雖然其各方面性能已經得到了很大程度的提高,但是GaNHEMT...
1 . 漏源擊穿 GaN材料的擊穿場強達到了~3.5MV/cm,使其能更好地應用于高功率開關器件,但是開態傳導損耗和關態擊穿電壓卻限制了GaN基HEMTs器件的功率開關特...
本文試驗中AlGaN/GaN常規器件和雙異質結器件的輸出和轉移特性是使用Agilent1500A半導體參數分析儀測得,DIBL特性使用HP4156B半導體參數分析儀測試得到,器件...
1. AlGaN/GaN HEMTs關鍵工藝技術 與其它場效應管、晶體三極管等器件不同,HEMTs器件制造工藝更為簡單。除了在每步工藝之前有表面清洗和處理等工藝之外,...
GaN基雙異質結的高低溫電子輸運特性對于研究其材料特性具有重要作用,而且器件一般工作在較高的溫度下,而近年來幾乎沒有關于雙異質結的變溫霍爾效...
1 . AlN插入層結構 在常規AlGaN/GaN異質結構中,為了提高功率密度,就應該提高2DEG面密度和遷移率的乘積。增加勢壘層Al組分能夠增大面密度,但是由于三元...
1 . 溝道層厚度優化結構 理論上,由于載流子限域性的提高,雙異質結構2DEG的遷移率會高于單異質結構。但是由于各種因素的影響,實驗結果并不是如此,...
1 . 雙層緩沖層結構 處于底層的緩沖層的結晶質量在很大程度上反映了異質結外延材料的結晶質量,緩沖層中的位錯會在后續的生長過程中繼續向上延伸,...
常規AlGaN/GaN異質結構界面處形成近似三角形的勢阱,溝道下方的勢壘較低,勢阱中2DEG由于較差的限域性容易溢出到GaN緩沖層,造成緩沖層漏電較大,影響器...