技術前瞻
氮化鎵器件技術前瞻,生產研發技術動態,氮化鎵廠家新器件。
氮化鎵器件技術前瞻,生產研發技術動態,氮化鎵廠家新器件。
1. GaN的晶體結構 到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結構,它們分別為纖鋅礦(Wurtzite)、閃鋅礦(Zincblende)和巖鹽礦(Rocksalt)。通常的情況下纖鋅礦是...
AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)器件有著較SiLDMOS更高的擊穿電壓以及更好的頻率特性,具備高壓、高頻以及大功率應用的性能優勢,在通信、雷達探測...
GaN HEMTs具有功率密度大、電子遷移率高、 耐高溫等優勢,正被廣泛應用于微波毫米波通信與雷達系統中。為進一步提高GaN HEMTs的功率密度,在器件中引入各...
Si基GaN(GaN-on-Si)平面器件工藝是GaN電力電子產業化制備的主流工藝。其主要優勢在于能有效利用現有Si-CMOS工藝以降低制造成本,且工藝成本會隨著GaN-on...
GaN基功率開關器件能實現優異的電能轉換效率和工作頻率,得益于平面型AlGaN/GaN異質結構中高濃度、高遷移率的二維電子氣(2DEG)。圖1示出絕緣柵GaN基平...
在功率系統的應用中,很多時候負載屬于感性負載(例如電機),另外系統中也不可避免的會存在寄生電感。這些感性元件能夠對功率系統中的電磁能進行...
淺場板集成柵對隧穿勢壘的調制并不是像SG-TFET一樣,從2DEG到肖特基源極之間勢壘的整體調制,而僅僅是部分勢壘調制,其結構如圖1所示。 圖1 GaN-on-Silic...
本文所提出的淺場板集成柵技術在工藝上實現的難點即快速地形成表面形貌優良的凹槽。此問題最好的解決方式即對現有的干法刻蝕方法進行設計與優化,...
1 . SG-TFET結構與制備工藝 如圖1所示,一般地,SG-TFET器件主要由AlGaN/GaN晶圓、歐姆漏極、肖特基源極柵極以及介質構成。與傳統AlGaN/GaN異質結橫向MISFET器件...