技術前瞻
氮化鎵器件技術前瞻,生產研發技術動態,氮化鎵廠家新器件。
氮化鎵器件技術前瞻,生產研發技術動態,氮化鎵廠家新器件。
固溶體技術是半導體能帶工程的重要領域之一。利用固溶體技術可以改變半導體材料的能帶結構和晶格常數,為器件設計提供了更大的材料優選空間。 (1)固...
CaN的突出優點,還在于它結合了碳化硅的高擊穿電場特性和砷化鎵、鍺硅合金和磷化銦等材料的高頻率特性,在進一步提高功率開關器件的工作頻率和微波器...
BN、AlN、氮化鎵(GaN)和InN在文獻中常統稱為Ⅲ-N化合物。Ⅲ-N化合物一般具有高熔點、高飽和蒸汽壓和高溫下結構不穩定的特點。例如,GaN晶體的熔點約為250...
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今,...
當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時,都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電...
2月1日,科技日報記者從中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所(以下簡稱中科院蘇州納米所)獲悉,該研究所與多家企業合作,成立了國內首家氮化鎵基...
近日,美國研究人員發現了在200mm絕緣硅基襯底(SOI)上生長氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的新方法,該研究團隊的主要成員來自于IBM T. J. Wa...
材料、信息、能源構筑的當代文明社會,缺一不可。半導體不僅具有極其豐富的物理內涵,而且其性能可以置于不斷發展的精密工藝控制之下,可謂是最有...
提起照明,人們馬上會想到燈具店中那些五顏六色的各式燈具。盡管這些燈具的形態各異,但其照明的核心部分燈泡其實主要只有兩種:白熾燈和熒光燈。...
氮化鎵比一般材料有高10倍的功率密度,而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗),更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出。氮化鎵無論是...